Intel y Micron lanzan la NAND de 25 Nanómetros: la tecnología de proceso más avanzada y pequeña en la industria de los semiconductores

La primera tecnología NAND de 25 nm del mundo ofrece una vía rentable hacia una mayor cantidad de datos, fotos y canciones en los dispositivos electrónicos y de computación populares de hoy

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• Intel y Micron lideran la industria de los semiconductores con la primera tecnología de proceso de 25 nm.
• La nueva flash de  25 nm ofrece un camino más rentable para aumentar el almacenamiento para reproductores de música y medios portátiles, smartphones y discos de estado sólido.
• El proceso de 25nm produce 8 gigabytes (GB) de almacenamiento en un simple dispositivo NAND, creando una solución de almacenamiento de alta capacidad para aparatos de consumo. 

Intel Corporation y Micron Technology, Inc. anunciaron hoy la primera tecnología NAND de 25 nanómetros (nm) del mundo, que ofrece una vía más rentable para aumentar la capacidad de almacenamiento en aparatos de consumo tan populares como los smartphones o los reproductores personales de música y medios (PMPs, del inglés “personal media players”), así como la nueva clase de alto desempeño de unidades de estado sólido (SSDs, del inglés “solid-state drives”).

La memoria flash NAND almacena datos y otros medios contenidos en los productos de electrónica de consumo, reteniendo la información incluso cuando están apagados. El avance hacia procesos NAND más pequeños hace posible el desarrollo continuo y el lanzamiento de nuevos usos para la tecnología. El proceso de 25 nm no solamente es la tecnología NAND más pequeña, sino que también es la tecnología de semiconductor más pequeña del mundo. Este logro tecnológico hace posible el avance de más música, video y otros datos en los aparatos electrónicos y las aplicaciones para computadoras de hoy.

Fabricado por IM Flash Technologies (IMFT), joint venture de Intel y Micron, el proceso de 25 nm produce 8 gigabytes (GB) de almacenamiento en un simple dispositivo NAND, creando una solución de almacenamiento de alta capacidad para los pequeños aparatos de electrónica de consumo de hoy. Mide tan sólo 167 mm2; es decir, es lo suficientemente pequeño como para caber en el agujero del medio de un disco compacto (CD), aunque tenga más de 10 veces la capacidad de datos de ese CD (un CD estándar almacena 700 megabytes de datos).Con un foco comprometido y una inversión en la investigación y el desarrollo de NAND, Intel y Micron han doblado la densidad de NAND aproximadamente cada 18 meses, lo que lleva a productos más pequeños, más rentables y con más capacidad. Intel y Micron formaron IMFT en 2006 e iniciaron la producción con un proceso de 50 nm, seguido por un proceso de 34 nm en 2008. Con el proceso de 25 nm de hoy, las empresas están extendiendo todavía más su proceso y su liderazgo de fabricación, con el lanzamiento de la litografía de semiconductor más pequeña disponible en la industria.

"Liderar toda la industria de semiconductores con la tecnología de proceso más avanzada es una hazaña fenomenal para Intel y Micron; buscamos superar de nuevo los límites de la escala", dijo Brian Shirley, vicepresidente del Memory Group de Micron. "Esta tecnología de producción les traerá beneficios significativos a nuestros clientes, por medio de soluciones de medios de densidad más elevada".

"Por medio de nuestra inversión continua en IMFT, estamos entregando tecnología y procesos líderes, que hacen factible la memoria NAND más rentable y confiable”, afirma Tom Rampone, vicepresidente y director general del Intel NAND Solutions Group. "Esto ayudará a acelerar la adopción de las soluciones de unidad de estado sólido para la computación".

El dispositivo de 25 nm y 8 GB está en prueba actualmente y se espera que entre en producción masiva en el segundo trimestre de 2010. Para los fabricantes de productos de electrónica de consumo, el dispositivo ofrece la más alta densidad en una pastilla de célula multinivel (MLC, del inglés “multi-level cell”) de 2 bits por célula que encajará en un paquete delgado y de formato pequeño de estándar industrial (TSOP, del inglés “small-outline package”). Múltiples dispositivos de 8GB pueden apilarse en un paquete para aumentar la capacidad de almacenamiento. El nuevo dispositivo de 25 nm y 8GB reduce la cuenta de chips en un 50 por ciento en comparación con las generaciones de procesadores anteriores, lo que permite diseños más pequeños pero con densidad más elevada y mayor rentabilidad. Por ejemplo, una unidad de estado sólido (SSD) ahora puede habilitarse con apenas 32 de estos dispositivos (contra 64 anteriormente), un smartphone de 32 GB necesita apenas cuatro y una tarjeta flash de 16 GB requiere sólo dos.